產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：SOT-227-4，miniBLOC
- 技術(shù)參數(shù)：DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
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IXA70R1200NA 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXA70R1200NA
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
- 功率-最大值：350W
- 開關(guān)能量：4.5mJ（開），5.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：190nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：70ns/250ns
- 測試條件：600V，50A，15 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SOT-227-4，miniBLOC
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