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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：SOT-227B
- 技術參數：MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
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IXFN360N10T 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IXFN360N10T
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：HiPerFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：360A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.6 毫歐 @ 180A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：505nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：36000pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：830W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：SOT-227B
- IXFN360N10T優勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
