產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：場效應(yīng)管模塊，SOT-227B
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXFN36N100 技術(shù)參數(shù)詳情：
- IXYS公司完整型號：IXFN36N100
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
- 系列：HiPerFET?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：36A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：240 毫歐 @ 500mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：380nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：9200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：700W
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
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