產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術參數(shù)：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
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IXGP2N100 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGP2N100
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：4A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：8A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，2A
- 功率-最大值：25W
- 開關能量：560μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：7.8nC
- 25°C時Td（開/關）值：15ns/300ns
- 測試條件：800V，2A，150 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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