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IXYS
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IXGQ35N120BD1 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
  • 技術參數:IGBT 1200V 75A 400W TO3P
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IXGQ35N120BD1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IXGQ35N120BD1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT 1200V 75A 400W TO3P
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):75A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):200A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):3.3V @ 15V,35A
  • 功率-最大值:400W
  • 開關能量:900μJ(開),3.8mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:140nC
  • 25°C時Td(開/關)值:40ns/270ns
  • 測試條件:960V,35A,3 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):40ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-3P-3,SC-65-3
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