產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 100A 300W TO3P
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXGQ50N60B4D1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGQ50N60B4D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 600V 100A 300W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：230A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，36A
- 功率-最大值：300W
- 開關(guān)能量：930μJ（開），1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：110nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：37ns/330ns
- 測試條件：400V，36A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：25ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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