產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：單路IGBT，TO-268
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 40A 190W TO268
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXGT20N120B 技術(shù)參數(shù)詳情：
- IXYS公司完整型號：IXGT20N120B
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO268
- 系列：-
- IGBT 類型：PT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
- 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.4V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值：190W
- Switching Energy：2.1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- Gate Charge：72nC
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：25ns/150ns
- Test Condition：960V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間 (trr)：-
- 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-268
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