產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 70A 190W TO268
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXGT30N60B2D1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXGT30N60B2D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 600V 70A 190W TO268
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：HiPerFAST?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：70A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：150A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，24A
- 功率-最大值：190W
- 開關(guān)能量：320μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：66nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：13ns/110ns
- 測試條件：400V，24A，5 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：25ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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