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IXYS
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IXGT32N90B2D1 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
  • 技術參數:IGBT 900V 64A 300W TO268
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IXGT32N90B2D1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IXGT32N90B2D1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT 900V 64A 300W TO268
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:HiPerFAST?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):900V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):64A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):200A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,32A
  • 功率-最大值:300W
  • 開關能量:2.2mJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:89nC
  • 25°C時Td(開/關)值:20ns/260ns
  • 測試條件:720V,32A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):190ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
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