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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術參數：IGBT 600V 35A 190W TO3P
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IXSQ20N60B2D1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IXSQ20N60B2D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 600V 35A 190W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，16A
- 功率-最大值：190W
- 開關能量：380μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：33nC
- 25°C時Td（開/關）值：30ns/116ns
- 測試條件：-
- 反向恢復時間(trr)：30ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- IXSQ20N60B2D1優勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
