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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術參數：IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
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IXYA8N90C3D1 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IXYA8N90C3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：GenX3?, XPT?
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：900V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：48A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，8A
- 功率-最大值：125W
- 開關能量：460μJ（開），180μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：13.3nC
- 25°C時Td（開/關）值：16ns/40ns
- 測試條件：450V，8A，30 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：114ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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