產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術參數(shù)：IGBT
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IXYH50N65C3D1 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYH50N65C3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：XPT?, GenX3?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：132A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：250A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，36A
- 功率-最大值：600W
- 開關能量：800μJ（開），800μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：86nC
- 25°C時Td（開/關）值：20ns/90ns
- 測試條件：400V，36A，5 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：36ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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