產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 21A 105W TO247
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IXYJ20N120C3D1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXYJ20N120C3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu)）
- 描述：IGBT 1200V 21A 105W TO247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：21A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：84A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：105W
- 開(kāi)關(guān)能量：1.3mJ（開(kāi)），500μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：53nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：20ns/90ns
- 測(cè)試條件：600V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：195ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- IXYJ20N120C3D1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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