產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：SOT-227-4，miniBLOC
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B
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IXYN110N120A4 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYN110N120A4
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：XPT?, GenX4?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：275A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：950A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，110A
- 功率-最大值：830W
- 開關(guān)能量：2.5mJ（開），8.4mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：305nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：42ns/550ns
- 測試條件：600V，50A，2 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SOT-227-4，miniBLOC
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