產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：SOT-227-4，miniBLOC
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT
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IXYN150N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYN150N60B3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：XPT?, GenX3?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：250A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：750A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，150A
- 功率-最大值：830W
- 開關(guān)能量：4.2mJ（開），2.6mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：260nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：27ns/167ns
- 測試條件：400V，75A，2 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：88ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：SOT-227-4，miniBLOC
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