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IXYS
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IXYP10N65C3D1 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
  • 技術參數:IGBT 650V 30A 160W TO-220
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IXYP10N65C3D1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IXYP10N65C3D1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT 650V 30A 160W TO-220
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:GenX3?, XPT?
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):54A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:160W
  • 開關能量:240μJ(開),110μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:18nC
  • 25°C時Td(開/關)值:20ns/77ns
  • 測試條件:400V,10A,50 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):170ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3
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