產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術參數(shù)：IGBT DISCRETE TO-220
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXYP24N100C4 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYP24N100C4
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT DISCRETE TO-220
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX4?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：76A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：132A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，24A
- 功率-最大值：375W
- 開關能量：3.6mJ（開），1mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：43nC
- 25°C時Td（開/關）值：15ns/147ns
- 測試條件：800V，24A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：35ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
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