產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT
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IXYT20N120C3D1HV 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYT20N120C3D1HV
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：XPT?, GenX3?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：36A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：88A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：230W
- 開關(guān)能量：1.3mJ（開），1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：53nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/90ns
- 測試條件：600V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：29ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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