產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-268AA（D3Pak-HV）
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
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MCB60I1200TZ-TUB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MCB60I1200TZ-TUB
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：90A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：34 毫歐 @ 50A，20V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 15mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：160nC @ 20V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2790pF @ 1000V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-268AA（D3Pak-HV）
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