產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺(tái)
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MIEB100W1200TEH 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：MIEB100W1200TEH
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：三相反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：183A
- 功率-最大值：630W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
- 電流-集電極截止（最大值）：300μA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：7.43nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：E3
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