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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E3
- 技術參數：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB101H1200EH 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：MIEB101H1200EH
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：-
- 配置：全橋反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：183A
- 功率-最大值：630W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
- 電流-集電極截止（最大值）：300μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：7.43nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：E3
- MIEB101H1200EH優勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
