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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E2
- 技術參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
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MIXA30W1200TED 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：MIXA30W1200TED
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 43A 150W E2
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：43A
- 功率-最大值：150W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
- 電流-集電極截止（最大值）：2.1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：-
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：E2
- MIXA30W1200TED優(yōu)勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
