產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：24-PowerSMD，21 引線
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 223A 625W SMPD
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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MMIX1X200N60B3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MMIX1X200N60B3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 600V 223A 625W SMPD
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：223A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：1000A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，100A
- 功率-最大值：625W
- 開關(guān)能量：2.85mJ（開），2.9mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：315nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：48ns/160ns
- 測試條件：360V，100A，1 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：24-PowerSMD，21 引線
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