產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：24-PowerSMD，21 引線
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 175A 520W SMPD
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
MMIX1X200N60B3H1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MMIX1X200N60B3H1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 600V 175A 520W SMPD
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：175A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：1000A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，100A
- 功率-最大值：520W
- 開關(guān)能量：2.85mJ（開），2.9mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：315nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：48ns/160ns
- 測試條件：360V，100A，1 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：100ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：24-PowerSMD，21 引線
- MMIX1X200N60B3H1優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺