產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
BCR48PNE6433BTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：BCR48PNE6433BTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：70mA，100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：47 千歐，2.2 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2)：47 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：70 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
- 電流-集電極截止（最大值）：-
- 頻率-躍遷：100MHz，200MHz
- 功率-最大值：250mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- BCR48PNE6433BTMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)