產品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，MG-WDSON-2
- 技術參數：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
- 豐富的英飛凌公司產品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
BSB056N10NN3 G 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSB056N10NN3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：9A（Ta），83A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 30A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：74nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5500pF @ 50V
- 功率 - 最大值：78W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：3-WDSON
- 供應商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M
- BSB056N10NN3 G優勢代理貨源，國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
芯片采購網專注整合國內外授權Infineon代理的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺