產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，PG-SOT363-6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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BSD840N H6327 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSD840N H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：880mA
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 880mA，2.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：78pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT363-6
- BSD840N H6327優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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