產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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BSO612CVGHUMA1 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：BSO612CVGHUMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：SIPMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3A，2A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：340pF @ 25V
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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