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Infineon
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BSR802N L6327 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,PG-SC-59
  • 技術參數:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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BSR802N L6327 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSR802N L6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):3.7A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.7A,2.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4.7nC @ 2.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1447pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商器件封裝:PG-SC-59
  • BSR802N L6327優勢代理貨源,國內領先的英飛凌芯片采購服務平臺。
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