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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-SOT23-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
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BSS159N H6327 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：BSS159N H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
- 系列：SIPMOS
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：耗盡模式
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：230mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.5 歐姆 @ 160mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 26μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：44pF @ 25V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：PG-SOT23-3
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