產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MOD 1200V 30A 20MW
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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DF200R12W1H3FB11BOMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DF200R12W1H3FB11BOMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT MOD 1200V 30A 20MW
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 配置：三相反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 功率-最大值：20mW
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.45V @ 15V，30A
- 電流-集電極截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：6.15nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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