產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 1050W
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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FF200R12KT3EHOSA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FF200R12KT3EHOSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 1050W
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：-
- 配置：2 個(gè)獨(dú)立式
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 功率-最大值：1050W
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
- 電流-集電極截止（最大值）：5mA
- 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies)：14nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：無(wú)
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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