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Infineon
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IGC50T120T8RQX1SA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:模具
  • 技術參數:IGBT 1200V 50A DIE
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IGC50T120T8RQX1SA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IGC50T120T8RQX1SA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:IGBT 1200V 50A DIE
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 電流-集電極脈沖(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.42V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:-
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:模具
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