產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 20A 110W TO252-3
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IHD10N60RA 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IHD10N60RA
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 600V 20A 110W TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：TrenchStop?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：30A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，10A
- 功率-最大值：110W
- 開關(guān)能量：270μJ
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：62nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：-/170ns
- 測試條件：400V，10A，23 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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