產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
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IKD04N60RAATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKD04N60RAATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：TrenchStop?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：8A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：12A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
- 功率-最大值：75W
- 開關(guān)能量：90μJ（開），150μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：27nC
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：14ns/146ns
- 測(cè)試條件：400V，4A，43 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：43ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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