產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 12A 100W TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IKD06N60RAATMA2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKD06N60RAATMA2
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 600V 12A 100W TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：TrenchStop?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：12A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：18A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，6A
- 功率-最大值：100W
- 開(kāi)關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：48nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：12ns/127ns
- 測(cè)試條件：400V，6A，23 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：68ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- IKD06N60RAATMA2優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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