產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：英飛凌
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IKD10N60RFAATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IKD10N60RFAATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
- IGBT類(lèi)型：溝道
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：30A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
- 功率-最大值：150W
- 開(kāi)關(guān)能量：190μJ（開(kāi)），160μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：64nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：12ns/168ns
- 測(cè)試條件：400V，10A，26 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：72ns
- 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63
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