產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PG-TO263-7
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
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IMBF170R650M1XTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IMBF170R650M1XTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1700V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：7.4A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V，15V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：650毫歐 @ 1.5A，15V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.7mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 12V
- Vgs（最大值）：+20V，-10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：422pF @ 1000V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：88W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：-
- 器件封裝：PG-TO263-7
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