產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-TO263-7-12
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
IMBG120R045M1HXTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IMBG120R045M1HXTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：47A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：63 毫歐 @ 16A，18V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 7.5mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+18V，-15V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1.527nF @ 800V
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 功率耗散（最大值）：227W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TO263-7-12
- IMBG120R045M1HXTMA1優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺