產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PG-TO263-7-12
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
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IMBG120R060M1HXTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IMBG120R060M1HXTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：83 毫歐 @ 13A，18V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+18V，-15V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1.145nF @ 800V
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 功率耗散（最大值）：181W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TO263-7-12
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