產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PG-TO247-3-41
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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IMW120R090M1HXKSA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IMW120R090M1HXKSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：117 毫歐 @ 8.5A，18V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 18V
- Vgs（最大值）：+23V，-7V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：707pF @ 800V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：115W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：PG-TO247-3-41
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