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Infineon
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IMW120R220M1HXKSA1 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PG-TO247-3-41
  • 技術參數:SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
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IMW120R220M1HXKSA1 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IMW120R220M1HXKSA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:CoolSiC?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):13A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):15V,18V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):286 毫歐 @ 4A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 1.6mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+23V,-7V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):289pF @ 800V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):75W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:PG-TO247-3-41
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