產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，PG-TO263-7
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IPB036N12N3 G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：IPB036N12N3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：120V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 100A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：211nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：13800pF @ 60V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7
- IPB036N12N3 G優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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