產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-TO263-7
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺
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IPB180N06S4-H1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：IPB180N06S4-H1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：180A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.7 毫歐 @ 100A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：270nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：21900pF @ 25V
- 功率 - 最大值：250W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB
- 供應商器件封裝：PG-TO263-7
- IPB180N06S4-H1優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺。
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