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Infineon
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IPD170N04N G 圖片
  • 制造廠商：英飛凌
  • 類別封裝：單端場效應管，PG-TO252-3
  • 技術參數：MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  • 豐富的英飛凌公司產品，英飛凌芯片采購平臺
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IPD170N04N G 技術參數詳情：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPD170N04N G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：40V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：30A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：880pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：31W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝：PG-TO252-3
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