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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：單端場效應管，PG-TO252-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
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IPD65R600E6 技術參數詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：IPD65R600E6
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- 系列：CoolMOS?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：650V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：7.3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 2.1A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 210μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 100V
- 功率 - 最大值：63W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：PG-TO252-3
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