產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺(tái)
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IPG20N10S4L35ATMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPG20N10S4L35ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 8TDSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 17A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 16μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1105pF @ 25V
- 功率-最大值：43W
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
- IPG20N10S4L35ATMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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