產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：DIRECTFET? MX
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
IRF6619TR1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF6619TR1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：HEXFET?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Ta），150A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.2 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.45V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：57nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5040pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：DIRECTFET? MX
- IRF6619TR1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Infineon代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)