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Infineon
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IRL6372TRPBF 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
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IRL6372TRPBF 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IRL6372TRPBF
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:HEXFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):8.1A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):17.9 毫歐 @ 8.1A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1020pF @ 25V
  • 功率-最大值:2W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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