產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PQFN（3x3）
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
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IRLHM620TR2PBF 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRLHM620TR2PBF
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：*
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Ta），40A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.5 毫歐 @ 20A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 50μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：78nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3620pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PQFN（3x3）
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